главная    •    Новости    •    софт    •    RSS-ленты    •    реклама    •    PDA-Версия    •    Контакты
Windows XP     •    Windows 7    •    Windows 8    •    Windows 10   •    Windows Server     •    Железо
Полезные советы      •     Администрирование      •     Сеть      •     Безопасность      •     статьи
Реклама на сайте
Книга жалоб и предложений
Правила на сайте
О Winblog.ru и о копирайте
Написать в редакцию
Конфиденциальность
                       
  • Windows 10 Insider Preview: вышла сборка 14986
  • Windows 10 Creators Update сделают безопаснее для организаций
  • В Windows 10 будет поддержка шрифта Брайля
  • Выпуск тестовых сборок Windows 10 приостановлен
  • Вчера IBM, AMD, Freescale и Toshiba при сотрудничестве совместно с американским колледжем наноисследований и инжиниринга сообщили об успехе в области разработки сверхкомпактных модулей памяти SRAM (static random access memory). Данные чипы памяти впервые были созданы при использовании 22нм технологического процесса.

    Новые модули памяти были созданы в лабораториях корпорации IBM на базе кремниевых подложек в 300нм со значительно более плотным 3-х мерным размещением ячеек. Отмечается то, что образцы вовсе не являются просто прототипами, а вполне работоспособны.

    Памят обладет высокой производительностью, что при размере всего в 22нм позволяет использовать ее в самых сложных электронных устройствах, таких как микропроцессоры. Для сравнения приведем несколько технических особенностей: одна базовая ячейка 22нм памяти содержит шесть нанотранзисторов, которые занимают площадь всего в 0,1кв.нм. Толщина одного такого нанотранзистора в 80 000 раз тоньше человеческого волоса.

    Ведущий руководитель нью-йоркской исследовательской лаборатории IBM и, по совместительству, вице-президент колледжа наноисследований доктор Т.С.Чен. сообщил, что сейчас альянс компаний работает на грани имеющихся на текущий момент технологий и разрабатывает образцы, которые в дальнейшем станут стандартом для развития микроэлектроники.

    Сегодня основной технологией построения микроэлектронных устройств является 45нм технология. Лишь в 2010 году крупнейшие производители намерены перейти на 32нм технологический процесс при использовании транзисторов на основе патентованной технологии high-K metal gate, которая уже сейчас была задействована в SRAM-чипах. Дата перехода на 22нм в качестве массового производства пока вообще неизвестна.

    "Как правило, плотность чипов SRAM повышается за счет уменьшения размеров базовых элементов чипов - ячеек. В случае с новыми уменьшенными ячейками удалось добиться не только их уменьшения, но и нового более плотного размещения относительно друг друга", - сообщили представители IBM.


    Оцените статью:
    Голосов 1

    Материалы по теме:
  • 3D-транзисторы увеличат скорость проессоров с 20 до 50 Ггц
  • Intel показала процессоры нового поколения
  • Готовят чипы флэш-памяти ёмкостью в 1 Тбит
  • Micron представила образцы чипов памяти DDR3.
  • Intel начала поставки флэш-памяти Serial Flash Memory


    • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
      heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
      winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
      worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
      expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
      disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
      joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
      sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
      neutral_faceno_mouthinnocent

    Для отправки комментария, обязательно ответьте на вопрос

    Вопрос:
    Сколько будет семь плюс два?
    Ответ:*




    ВЕРСИЯ ДЛЯ PDA      СДЕЛАТЬ СТАРТОВОЙ    НАПИШИТЕ НАМ    РЕКЛАМА

    Copyright © 2006-2016 Winblog.ru All rights reserved.
    Права на статьи принадлежат их авторам. Копирование и использование материалов разрешается только в случае указания явной гиперссылки на веб-сайт winblog.ru, как на источник получения информации.
    Сайт для посетителей возрастом 18+