главная    •     Новости      •     софт      •     RSS-ленты     •     реклама      •     PDA-Версия      •    Контакты
Windows XP    •      Windows 7     •    Windows 8    •    Windows 9-10-11     •    Windows Server     •    Железо
Советы      •     Администрирование      •     Сеть      •     Безопасность      •     Статьи      •     Материалы
Реклама на сайте
Книга жалоб и предложений
Правила на сайте
О Winblog.ru и о копирайте
Написать в редакцию
Конфиденциальность
                       
Вчера IBM, AMD, Freescale и Toshiba при сотрудничестве совместно с американским колледжем наноисследований и инжиниринга сообщили об успехе в области разработки сверхкомпактных модулей памяти SRAM (static random access memory). Данные чипы памяти впервые были созданы при использовании 22нм технологического процесса.

Новые модули памяти были созданы в лабораториях корпорации IBM на базе кремниевых подложек в 300нм со значительно более плотным 3-х мерным размещением ячеек. Отмечается то, что образцы вовсе не являются просто прототипами, а вполне работоспособны.

Памят обладет высокой производительностью, что при размере всего в 22нм позволяет использовать ее в самых сложных электронных устройствах, таких как микропроцессоры. Для сравнения приведем несколько технических особенностей: одна базовая ячейка 22нм памяти содержит шесть нанотранзисторов, которые занимают площадь всего в 0,1кв.нм. Толщина одного такого нанотранзистора в 80 000 раз тоньше человеческого волоса.

Ведущий руководитель нью-йоркской исследовательской лаборатории IBM и, по совместительству, вице-президент колледжа наноисследований доктор Т.С.Чен. сообщил, что сейчас альянс компаний работает на грани имеющихся на текущий момент технологий и разрабатывает образцы, которые в дальнейшем станут стандартом для развития микроэлектроники.

Сегодня основной технологией построения микроэлектронных устройств является 45нм технология. Лишь в 2010 году крупнейшие производители намерены перейти на 32нм технологический процесс при использовании транзисторов на основе патентованной технологии high-K metal gate, которая уже сейчас была задействована в SRAM-чипах. Дата перехода на 22нм в качестве массового производства пока вообще неизвестна.

"Как правило, плотность чипов SRAM повышается за счет уменьшения размеров базовых элементов чипов - ячеек. В случае с новыми уменьшенными ячейками удалось добиться не только их уменьшения, но и нового более плотного размещения относительно друг друга", - сообщили представители IBM.


Оцените статью: Голосов

Материалы по теме:
  • Intel анонсировала выпуск сверхкомпактных SSD-накопителей
  • Готовят чипы флэш-памяти ёмкостью в 1 Тбит
  • Intel и Micron разработали сверхбыструю флэш-память NAND
  • Kingston презентовала новые высокопроизводительные модули оперативной памяти
  • DDR4 - будущее стандарта оперативной памяти



  • Для отправки комментария, обязательно ответьте на вопрос

    Вопрос:
    Сколько будет двадцать минус три?
    Ответ:*




    ВЕРСИЯ ДЛЯ PDA      СДЕЛАТЬ СТАРТОВОЙ    НАПИШИТЕ НАМ    МАТЕРИАЛЫ    ОТ ПАРТНЁРОВ

    Copyright © 2006-2022 Winblog.ru All rights reserved.
    Права на статьи принадлежат их авторам. Копирование и использование материалов разрешается только в случае указания явной гиперссылки на веб-сайт winblog.ru, как на источник получения информации.
    Сайт для посетителей возрастом 18+