Intel и Micron разработали сверхбыструю флэш-память NAND
Компании Intel и Micron объявили о разработке новых микрочипов флэш-памяти NAND, которые, как утверждается, на сегодняшний день являются самыми быстрыми в мире.
Представленные микросхемы памяти выполнены по технологии одноуровневых ячеек (Single-Level-Cell, SLC) и поддерживают интерфейс стандарта ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface), обеспечивающий повышенную скорость обмена данными. Так, по заявлениям разработчиков, новые микрочипы памяти могут быть считаны со скоростью до 200 Мб/с и записаны со скоростью до 100 Мб/с. Отмечается, что это в пять раз выше аналогичных показателей традиционной флэш-памяти NAND.
Новая память NAND, как ожидается, найдет применение в видеокамерах высокой четкости, портативных медиацентрах, а также в гибридных жестких дисках и твердотельных накопителях (SSD) для персональных компьютеров. Накопители SSD сейчас стоят существенно дороже обычных винчестеров, однако обладают повышенными прочностью, надежностью, скоростью, а также нулевым уровнем шума при работе. Поэтому в отдельных случаях применение дисков SSD оказывается более выгодным, нежели использование винчестеров.
Как сообщает EETimes, новые микрочипы NAND имеют емкость 8 Гбит и изготавливаются по 50-нанометровой технологии на заводе IM Flash Technologies - совместном предприятии компаний Intel и Micron. Образцы микросхем уже поставляются фирмам-изготовителям комплектного оборудования, а также производителям контроллеров. Массовое производство памяти NAND нового типа запланировано на вторую половину текущего года.
