главная    •     Новости      •     софт      •     RSS-ленты     •     реклама      •     PDA-Версия      •    Контакты
Windows XP    •      Windows 7     •    Windows 8    •    Windows 9-10-11     •    Windows Server     •    Железо
Советы      •     Администрирование      •     Сеть      •     Безопасность      •     Статьи      •     Материалы
Реклама на сайте
Книга жалоб и предложений
Правила на сайте
О Winblog.ru и о копирайте
Написать в редакцию
Конфиденциальность
                       
  • Microsoft Edge - еще более безопасный!
  • ActiveCloud - надежный провайдер облачных услуг для вашей компании
  • ANYSERVER - ваш поставщик б/у серверов из Европы
  • Настройка контекстной рекламы в Yandex и Google: Эффективный путь к росту вашего бизнеса
  • Коммутаторы с функцией PoE: Обеспечение эффективной передачи данных и питания
  • Очередное обновление сломало выключатель компьютеров на Windows 11
  • Panasonic планирует в нынешнем году наладить коммерческий выпуск резистивной памяти (ReRAM). Это дает энергонезависимой памяти (NVRAM) преимущество в гонке технологий, призванных заменить собой NAND флеш-память. Что же такое ReRAM и чем она лучше флеш-памяти?

    Минимальный размер флеш-чипа ограничен 10 нанометрами, и даже до 19 нанометров его уменьшить сложно. Но чем же можно заменить флеш-память? Резистивная память (ReRAM или RRAM), которую вскоре планируется запустить в коммерческое производство, имеет несколько преимуществ по сравнению с флеш-памятью. Эти преимущества делают ее одним из самых вероятных кандидатов на звание лидера в глобальной гонке технологий энергонезависимой памяти.

    Недостатки флеш-памяти

    Флеш-память, как и DRAM, хранит биты в виде электрических зарядов. По мере уменьшения размера флеш-чипов увеличивается количество битов на одну ячейку и сокращается количество электронов, отвечающих за хранение бита.

    В результате в какой-то момент электронов становится настолько мало, что безошибочное считывание и надежное хранение данных оказываются невозможны. Улучшенная обработка сигналов и технология ECC помогают решить эту проблему, но в свою очередь тоже имеют определенные издержки.

    Что такое ReRAM?

    ReRAM предусматривает хранение бита с помощью электрически изменяемого сопротивления (а не электрического заряда): высокое сопротивление соответствует единице, низкое — нулю. Сопротивление легче измерить, чем количество электронов в облаке, где их насчитывается несколько сотен.

    Сопротивление изменяется за счет приложения определенного напряжения, которое в данном случае работает как своеобразный переключатель. Одно из преимуществ технологии заключается в том, что для изменения сопротивления требуется гораздо меньшее напряжение, чем для записи данных во флеш-память. Это особенно удобно для устройств малой мощности.

    Для производства ReRAM можно использовать различные материалы. Некоторые характеризуются повышенной долговечностью (до нескольких миллионов циклов перезаписи) и надежностью по сравнению с флеш-памятью, другие обеспечивают скорость передачи данных, сравнимую с DRAM.

    В числе других преимуществ резистивной памяти:

    • Высокая плотность. Тайваньские ученые доказали, что стандартные процессы могут использовать микроскопические ячейки резистивной памяти.
    • Низкая стоимость. По данным экспериментов, производство ReRAM требует меньшего количества этапов, чем производство флеш-памяти, да и сам процесс оказывается значительно проще.
    • Долгий срок службы. Некоторые виды резистивной памяти выдерживают до нескольких миллионов циклов перезаписи, в то время как многоуровневая флеш-память (MLC) — всего 10 тысяч.
    • Высокая гибкость. В зависимости от архитектуры, ReRAM может быть оптимизирована для получения высокой плотности, большого объема или повышенной скорости передачи данных.
    • Широкий спектр материалов. Для изготовления резистивной памяти можно использовать самые разные материалы. А поскольку исследования в этой области до сих пор продолжаются, в перспективе наверняка появятся еще более привлекательные варианты.

    Конечной — и возможно, недостижимой — целью исследователей является создание устройства, сочетающего высокую скорость DRAM с долгим сроком хранения флеш-памяти.

    А как же фазовая память?

    Главный соперник ReRAM — память с изменением фазового состояния, которая использует тепловую энергию для изменения сопротивления. Но похоже, высокая мощность, необходимая PC-RAM для переключения состояний, делает эту технологию неконкурентоспособной по сравнению с резистивной памятью.

    Мнение редакции

    Если учесть, что над развитием ReRAM работают Panasonic, 4DS, Sematech и многие другие производители, можно предположить, что резистивная память — следующий фаворит в гонке технологий NVRAM.

    Путь ReRAM, конечно, не будет легким. Флеш-память на данный момент набрала хороший разгон, и многие исследователи активно ищут способы расширить ее возможности, в то время как базовые принципы функционирования резистивной памяти до сих пор еще не вполне изучены. Но судя по всему, у этой технологии есть на руках все необходимые козыри для успешного развития в пятилетней перспективе.

    Может быть, чудесная память — быстрая, как DRAM, надежная и притом дешевая — появится уже в этом десятилетии.

    Комментарии приветствуются, разумеется.

    Автор: Robin Harris
    Перевод SVET


    Оцените статью: Голосов

    Материалы по теме:
  • Почему SSD не смогут заменить жесткие диски
  • Мемристор - накопитель нового поколения
  • Гарантийный срок эксплуатации флеш-накопителя — миф или реальность?
  • Super Talent предлагает «самую быструю DDR2-память
  • Не вся память одинаково полезна…



  • Для отправки комментария, обязательно ответьте на вопрос

    Вопрос:
    Сколько будет шесть минус один?
    Ответ:*




    ВЕРСИЯ ДЛЯ PDA      СДЕЛАТЬ СТАРТОВОЙ    НАПИШИТЕ НАМ    МАТЕРИАЛЫ    ОТ ПАРТНЁРОВ

    Copyright © 2006-2022 Winblog.ru All rights reserved.
    Права на статьи принадлежат их авторам. Копирование и использование материалов разрешается только в случае указания явной гиперссылки на веб-сайт winblog.ru, как на источник получения информации.
    Сайт для посетителей возрастом 18+