Samsung – производитель микросхем памяти самой высокой плотности
Разработчики Samsung создали микросхему динамической оперативной памяти емкостью 4 Гб и размером 50 нанометров. Это – еще один шаг на пути к амбициозной цели компании: создать плотный чип оперативной памяти с минимальным потреблением электроэнергии.
В официальном заявлении Samsung по этому поводу отмечается, что такие микросхемы могут значительно повысить экономическую эффективность информационных центров: «Микросхемы оперативной памяти DDR3 высокой плотности, потребляющие минимум электроэнергии, в сочетании с прочими компонентами современных "зеленых" серверов помогут не только сократить расходы на электричество, но и значительно снизят затраты на установку, техническое обслуживание и ремонт блоков питания и прочих нагревающихся элементов».
Микросхема Samsung DRAM DDR3 4 Гб работает под напряжением 1,35 вольт, что на 20 % ниже по сравнению с чипами предыдущего поколения. Максимальная скорость передачи данных составляет 1,6 гигабит в секунду. Чип можно использовать в составе различных модулей памяти, устанавливаемых на серверы, настольные компьютеры и ноутбуки.
